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2025-08-18
2023年末,光刻机巨头ASML向Intel交付首套高数值孔径High-NA EUV光刻机,型号为 TWINSCAN EXE:5000。
当时业界普遍认为,High-NA EUV将对先进芯片开发和下代处理器生产发挥关键作用。
但时至今日,各大晶圆代工厂都在减少依赖High-NA EUV,延后导入时间。 特别是Intel董事发言,让市场对High-NA EUV光刻机的前景产生更多疑问。
据不愿意透露姓名的Intel董事说法,新晶体管设计如GAAFET和CFET,降低芯片制造对先进光刻设备(尤其是EUV光刻机)的依赖。
这些设计是从四面包裹栅极,更偏用蚀刻去除多余材料,而不是增加晶圆曝光时间以缩小电路尺寸。 芯片生产时横向重要性日益增加,High-NA EUV 重要性就没那么重要了。
该董事认为,像环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)这样的新型设计,将显著增加光刻之后制造步骤(特别是刻蚀技术)的重要性,从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。
一般来说,芯片制造流程始于光刻,先将设计图案转移到晶圆表面。随后通过沉积添加材料,并通过刻蚀选择性地去除材料,最终形成晶体管和电路结构。
该董事指出,未来的重点可能从单纯依赖光刻机缩小特征尺寸,转向更复杂、更关键的刻蚀工艺,以确保这些新型三维晶体管结构的精确成型。这预示着芯片制造技术路线可能迎来重大转变。
事实上,前不久台积电也表达过类似的观点。1.4nm级工艺技术不需要High-NA EUV光刻机,目前找不到非用不可的理由。
“对于A14来说,我之前提到的性能提升在不使用高数值孔径的情况下也非常显著。因此,我们的技术团队正在持续寻找延长现有EUV寿命的方法。”
据了解,ASML最新一代的高数值孔径(High-NA)EUV光刻机是目前世界上最先进光刻机,单价高达4亿美元,如此高昂的价格让很多厂商望而却步。
截止目前,ASML已向客户交付总共5台,包括Intel、三星。 其重达180吨、体积如同双层巴士,堪称全球最昂贵的半导体制造设备之一。
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