首页 - 科技 > 纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破!

纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破!

发布于：2024-12-26 作者：凹凸曼 阅读：33

据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术进展，解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从原理上提升了器件良率。

该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，从而大幅度增加了刻蚀窗口，降低了刻蚀过程的难度。

这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM器件的位元良率从99.6%提升至超过99.9%，达到了大规模制造的要求。

同时，该器件实现了2纳秒的写入速度，超过1万亿次的写入/擦除操作次数（测量时间上限），并且具备持续微缩的潜力。

纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破
传统方案

纳秒级写入、超万亿次擦写！中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破
驰拓科技创新方案

据了解，SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。

不过SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻蚀良率低，严重制约了其大规模生产与应用。


二维码

扫一扫关注我们

版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，本站不拥有所有权，不承担相关法律责任。如果发现本站有涉嫌抄袭的内容，欢迎发送邮件至 3941001135@qq.com举报，并提供相关证据，一经查实，本站将立刻删除涉嫌侵权内容。

上一篇：厦门海关截获16.1公斤牛鞭：禁止携带肉类及其制品进境!

下一篇：男子恶意退货一年多骗了227万元！结果获刑11年!

相关文章

客服QQ：3941001135

客服邮箱：3941001135@qq.com

二维码

本站部分文字及图片均来自于网络，如有侵权请及时联系删除处理

Copyright © 2023 本站技术支持0571YP技术支持 苏ICP备2024129037号-1