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三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟！

发布于：2024-07-03 作者：凹凸曼 阅读：70

据媒体报道，三星在其第9代V-NAND闪存技术的革新中，巧妙地在金属化工艺环节引入了钼（Mo）作为替代材料，与之并行的另一路径则继续沿用传统的钨材料。

面对钨材料在降低层高方面已触及的物理极限，三星前瞻性地转向钼，这一转变不仅有望实现层高30%至40%的进一步缩减，还能显著降低NAND闪存的响应时间，为数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。三星的这一决策，预示着NAND材料供应链即将迎来深刻的变革与重塑。

值得注意的是，钼材料的引入并非易事，它要求生产设备能够耐高温处理，将固态钼原材料加热至600℃以转化为气态，这与六氟化钨（WF6）的处理方式截然不同。

三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟

为此，三星已积极行动，从Lam Research公司引入了首批5台Mo沉积机，并规划在未来一年内再增购20台，以加速其钼基NAND的生产布局。

供应链方面，三星正与多家领先供应商紧密合作，包括Entegris和Air Liquide，以确保稳定的钼源供应。同时，Merck等公司也积极响应，向三星提供了钼材料的样品，展示了行业对新技术路径的广泛支持与期待。

此外，SK海力士、美光和铠侠等业界巨头也纷纷跟进，探索在NAND生产中采用钼材料的可行性，共同推动半导体材料的革新进程。

然而，钼材料的采用也伴随着成本的提升，其市场价格相较于六氟化钨高出近十倍。尽管如此，鉴于其在提升性能方面的显著优势，以及未来在DRAM和逻辑芯片领域的潜在应用前景，钼材料正成为众多企业竞相追逐的新宠。这一趋势预示着六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力，而含钼材料的市场则将迅速崛起。

三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟


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